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產(chǎn)品展示

防爆型紅外測(cè)溫儀BL2MR1S系列產(chǎn)品

防爆型紅外測(cè)溫儀BL2MR1S系列產(chǎn)品MR1SB

,MR1SC

防爆型紅外測(cè)溫儀BL2MR1S系列產(chǎn)品

儀表技術(shù)要求及主要參數(shù)及規(guī)格說明

  1. 紅外測(cè)溫儀為防爆型,防爆等級(jí)Ex d II CT6

    ;防護(hù)等級(jí)為IP65

  2. 有現(xiàn)場(chǎng)數(shù)字顯示

  3. 帶安裝支架和相應(yīng)緊固件。

  4. 本體上安裝銘牌

    ,銘牌包含儀表型號(hào),規(guī)格
    ,防爆等級(jí)
    ,防護(hù)等級(jí)等內(nèi)容。

  5. 比色(雙色)紅外測(cè)溫儀

    ,在移動(dòng)瞄準(zhǔn)器200mm范圍內(nèi)不需調(diào)整情況下不影響測(cè)量精度

  6. 瞄準(zhǔn)器要便于對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)

  7. 24VC直流供電

  8. 變送器(轉(zhuǎn)換器)的環(huán)境溫度 -10~55℃.

應(yīng)用:

用于防爆要求等級(jí)Ex d II CT6的工況條件下

,紅外測(cè)溫探頭MR1S是高性能的雙色測(cè)溫儀,帶有雙向數(shù)字通訊
、屏幕不潔報(bào)警
,以及快速響應(yīng)時(shí)間。專門用于小的或移動(dòng)的目標(biāo)或由于灰塵
,煙霧及大氣中其他微粒遮擋的目標(biāo)的測(cè)量
。主要用于熱處理、半導(dǎo)體加工(如多晶硅還原爐的硅棒的溫度測(cè)量)
、鋼鐵
、線材(如鋼鐵公司的棒材溫度測(cè)量)制造。
產(chǎn)品一般特點(diǎn)
- 簡捷
、堅(jiān)固的外殼設(shè)計(jì)
,符合NEMA-4標(biāo)準(zhǔn)
- 單色或者雙色操作(獨(dú)特功能)
- 快速響應(yīng)時(shí)間低到10毫秒
- 高光學(xué)分辨率130:1
- 高速數(shù)字信號(hào)處理器確保智能操作
- 雙向RS-485通訊(可聯(lián)網(wǎng))
- 一個(gè)多點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)支持多達(dá)32個(gè)馬拉松傳感頭
- 采用用戶定義的報(bào)警方式
,模擬和數(shù)字輸出同步
- 有標(biāo)準(zhǔn)焦距和近焦距可選
- 可變焦距及內(nèi)置用戶界面便于安裝
- 透鏡瞄準(zhǔn)功能
- 用戶設(shè)定報(bào)警值可模擬或數(shù)字輸出
- 使用ThermoJacket保護(hù)裝置
,耐環(huán)境溫度最高到315°C (600°F)
- 獨(dú)特的不潔窗口報(bào)警
- 馬拉松DataTemp軟件
,可以遙控設(shè)置和監(jiān)測(cè)
- 現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)定和探頭診斷軟件

BL2MR1S測(cè)溫探頭選型表


A (溫度范圍) A    600~1400℃, D:S= 44:1
B    700~1800℃
, D:S= 82:1
C    1000~3000℃
,D:S=130:1
B (焦距) SF 可變光學(xué)系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)焦距N/C
CF 可變光學(xué)系統(tǒng)的近焦距
C: 選件 訂貨時(shí)必須說明 ,根據(jù)用戶的要求
,和我們的選型工程師溝通

 

紅外測(cè)溫探頭MR1SA技術(shù)指標(biāo)

測(cè)溫范圍:600℃~1400℃(1112°F~2552°F)
D:S=44:1
探測(cè)器:硅/硅層探測(cè)器,通常1.0
精度:滿量程的±0.3%


溫度分辨率:1℃或°F
響應(yīng)時(shí)間:10ms
發(fā)射率(單色):0.10~1.0
,步長0.01
坡度(雙色):0.85~1.15,步長0.001
信號(hào)處理:峰值保持和平均值
 

紅外測(cè)溫探頭MR1SB技術(shù)指標(biāo)

測(cè)溫范圍:700℃~1800℃(1292°F~3632°F)
D:S=82:1
探測(cè)器:硅/硅層探測(cè)器

,通常1.0
精度:滿量程的±0.3%

溫度分辨率:1℃或°F
響應(yīng)時(shí)間:10ms
發(fā)射率(單色):0.10~1.0,步長0.01
坡度(雙色):0.85~1.15
,步長0.001
信號(hào)處理:峰值保持和平均值
 

紅外測(cè)溫探頭MR1SC技術(shù)指標(biāo)

測(cè)溫范圍:1000℃~3000℃(1832°F~5432°F)
D:S=130:1
探測(cè)器:硅/硅層探測(cè)器

,通常1.0
精度:滿量程的±0.3%,
溫度分辨率:1℃或°F
響應(yīng)時(shí)間:10ms
發(fā)射率(單色):0.10~1.0
,步長0.01
坡度(雙色):0.85~1.15,步長0.001
信號(hào)處理:峰值保持和平均值
 

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